সিক সাবস্ট্রেট

সিক সাবস্ট্রেট

সিলিকন কার্বাইড (SiC) সাবস্ট্রেটগুলি তাদের উচ্চতর বৈশিষ্ট্যগুলির কারণে বিভিন্ন ক্ষেত্রে বিশেষ করে পাওয়ার ইলেকট্রনিক্সে ক্রমশ গুরুত্বপূর্ণ হয়ে উঠছে। SiC, একটি প্রশস্ত ব্যান্ডগ্যাপ সেমিকন্ডাক্টর, প্রথাগত সিলিকনের তুলনায় একাধিক সুবিধা প্রদান করে, যার মধ্যে উচ্চ শক্তি দক্ষতা, অধিক তাপমাত্রা প্রতিরোধ এবং উন্নত নির্ভরযোগ্যতা রয়েছে। এই বৈশিষ্ট্যগুলি উন্নত প্রযুক্তি সিস্টেমের বিকাশে SiC সাবস্ট্রেটগুলিকে একটি মূল উপাদান করে তোলে৷ সিলিকন কার্বাইড, প্রায়ই SiC হিসাবে সংক্ষেপে বলা হয়, এটি সিলিকন এবং কার্বনের একটি যৌগ৷ একটি সাবস্ট্রেট হিসাবে, এটি ভিত্তি হিসাবে কাজ করে যার উপর ডিভাইস বা সার্কিট গঠিত হয়। SiC সাবস্ট্রেটগুলি তাদের অনন্য শারীরিক এবং বৈদ্যুতিন বৈশিষ্ট্যগুলির কারণে পাওয়ার ডিভাইসগুলির জন্য আদর্শ প্ল্যাটফর্ম সরবরাহ করে।

  • দ্রুত ডেলিভারি
  • গুণ নিশ্চিত করা
  • 24/7 গ্রাহক পরিষেবা
পণ্য পরিচিতি

কোম্পানির প্রোফাইল

 

 

Zhonggui সেমিকন্ডাক্টর 2009 সালে প্রতিষ্ঠিত, Yangzhou Zhongding সেমিকন্ডাক্টর কোম্পানির শিকড় থেকে সেমিকন্ডাক্টর শিল্পে একটি নেতা হয়ে উঠেছে। চাইনিজ একাডেমি অফ সায়েন্সেসের ন্যানোস ইন্সটিটিউট থেকে প্রযুক্তিগত উদ্ভাবনকে কাজে লাগিয়ে, আমরা সেমিকন্ডাক্টর সিলিকন ওয়েফারের উৎপাদন এবং প্রযুক্তিগত উন্নতিতে বিশেষজ্ঞ। আমাদের উত্সর্গ একটি বিশিষ্ট প্রযুক্তিগত দল গড়ে তুলেছে, একজন শিল্প নেতা হিসাবে আমাদের অবস্থান সুরক্ষিত করে।

 

কেন আমাদের নির্বাচন করেছে

উৎপাদন সরঞ্জাম

আমরা স্লাইসিং মেশিন, গ্রাইন্ডিং মেশিন, বেভেলিং মেশিন, রাসায়নিক মেকানিক্যাল পলিশিং মেশিন, কাটিং মেশিন এবং আরও অনেক কিছু দিয়ে সজ্জিত একটি ক্লাস 100 ক্লিনরুম সুবিধা পরিচালনা করি। আমরা আমাদের গ্রাহকদের পেশাদার, কাস্টমাইজড পরিষেবা প্রদানের জন্য নিবেদিত।

পেশাদার দল

মার্কিন যুক্তরাষ্ট্র, রাশিয়া, ইউনাইটেড কিংডম, ফ্রান্স ইত্যাদি সহ একাধিক দেশে আমাদের পণ্য বিক্রি হওয়ার সাথে আমাদের বিশ্বব্যাপী নাগাল রয়েছে। আমরা আমাদের ক্লায়েন্টদের সাথে পারস্পরিক উন্নয়নকে উৎসাহিত করতে এবং বিজয়ী অংশীদারিত্ব অর্জন করতে প্রতিশ্রুতিবদ্ধ।

সনদপত্র

উন্নত সরঞ্জাম এবং একটি শক্তিশালী ISO 9001 মান ব্যবস্থাপনা সিস্টেমের সাথে, আমরা আমাদের ক্লায়েন্টদের জন্য উচ্চ-মানের, উপযোগী সমাধান নিশ্চিত করি।

আমাদের কারখানা

ইয়াংজু এর তিয়ানশান টাউন শিল্প অঞ্চলে অবস্থিত, সিলিকোর টেকনোলজিস লিমিটেড একটি সরাসরি উৎস কারখানা যা কাস্টমাইজড সিলিকন-ভিত্তিক পণ্য সরবরাহের উপর দৃষ্টি নিবদ্ধ করে।

 

Silicon Carbide Wafer

সিলিকন কার্বাইড ওয়েফার

সিলিকন কার্বাইড (SiC), তার দৃঢ় প্রকৃতি এবং অ্যাপ্লিকেশনের বিস্তৃত পরিসর সহ, এর ব্যতিক্রমী বৈশিষ্ট্যগুলির জন্য বিভিন্ন শিল্পকে উল্লেখযোগ্যভাবে প্রভাবিত করে।

4H Sic Wafer

4H Sic Wafer

সিলিকন কার্বাইড (SiC), তার দৃঢ় প্রকৃতি এবং অ্যাপ্লিকেশনের বিস্তৃত পরিসর সহ, এর ব্যতিক্রমী বৈশিষ্ট্যগুলির জন্য বিভিন্ন শিল্পকে উল্লেখযোগ্যভাবে প্রভাবিত করে।

product-750-750

6H Sic Wafer

6H পলিটাইপ তার শক্তিশালী যান্ত্রিক বৈশিষ্ট্যগুলির জন্য আলাদা এবং প্রায়শই ব্যবহৃত হয় যেখানে স্থায়িত্ব সর্বাধিক।

Sic Substrate

সিক সাবস্ট্রেট

সিলিকন কার্বাইড (SiC) সাবস্ট্রেটগুলি একটি খুব বিশুদ্ধ উপাদান থেকে তৈরি করা হয় যা সিলিকন এবং কার্বনকে একত্রিত করে। ফিজিক্যাল ভ্যাপার ট্রান্সপোর্ট (PVT) নামক একটি উচ্চ-তাপমাত্রার কৌশল দিয়ে উৎপাদন প্রক্রিয়া শুরু হয়।

 

Sic সাবস্ট্রেট কি?
 

সিলিকন কার্বাইড (SiC) সাবস্ট্রেটগুলি তাদের উচ্চতর বৈশিষ্ট্যগুলির কারণে বিভিন্ন ক্ষেত্রে বিশেষ করে পাওয়ার ইলেকট্রনিক্সে ক্রমশ গুরুত্বপূর্ণ হয়ে উঠছে। SiC, একটি প্রশস্ত ব্যান্ডগ্যাপ সেমিকন্ডাক্টর, প্রথাগত সিলিকনের তুলনায় একাধিক সুবিধা প্রদান করে, যার মধ্যে উচ্চ শক্তি দক্ষতা, অধিক তাপমাত্রা প্রতিরোধ এবং উন্নত নির্ভরযোগ্যতা রয়েছে। এই বৈশিষ্ট্যগুলি উন্নত প্রযুক্তি সিস্টেমগুলির বিকাশে SiC সাবস্ট্রেটগুলিকে একটি মূল উপাদান করে তোলে।
সিলিকন কার্বাইড, প্রায়ই সংক্ষেপে SiC নামে পরিচিত, সিলিকন এবং কার্বনের একটি যৌগ। একটি সাবস্ট্রেট হিসাবে, এটি ভিত্তি হিসাবে কাজ করে যার উপর ডিভাইস বা সার্কিট গঠিত হয়। SiC সাবস্ট্রেটগুলি তাদের অনন্য শারীরিক এবং বৈদ্যুতিন বৈশিষ্ট্যগুলির কারণে পাওয়ার ডিভাইসগুলির জন্য আদর্শ প্ল্যাটফর্ম সরবরাহ করে।

 

সিক সাবস্ট্রেটের সুবিধা
 

উচ্চ তাপ পরিবাহিতা
SiC এর একটি তাপ পরিবাহিতা রয়েছে যা সিলিকন (Si) সাবস্ট্রেটের তুলনায় 3-5 গুণ বেশি। এটি দ্রুত তাপ অপচয়ের অনুমতি দেয় এবং ডিভাইসের তাপমাত্রা কম রাখতে সাহায্য করে।

 

উচ্চ ব্রেকডাউন ভোল্টেজ
SiC সাবস্ট্রেটগুলির একটি উচ্চ ব্রেকডাউন ভোল্টেজ রয়েছে, যা তাদের উচ্চ বৈদ্যুতিক ক্ষেত্রগুলি সহ্য করতে দেয়। এটি এমন ডিভাইসগুলির বিকাশের অনুমতি দেয় যা উচ্চ ভোল্টেজ এবং স্রোতে কাজ করতে পারে, যা উচ্চ-শক্তি প্রয়োগের জন্য তাদের আদর্শ করে তোলে।

 

উচ্চ ইলেক্ট্রন গতিশীলতা
SiC-এর Si এর চেয়ে উচ্চতর ইলেক্ট্রন গতিশীলতা রয়েছে, যা উচ্চতর ফ্রিকোয়েন্সিতে কাজ করতে পারে এমন ডিভাইসগুলির বিকাশের অনুমতি দেয়। এটি আরএফ এমপ্লিফায়ার এবং উচ্চ-ফ্রিকোয়েন্সি স্যুইচিং সার্কিটের মতো অ্যাপ্লিকেশনগুলিতে গুরুত্বপূর্ণ।

 

প্রশস্ত ব্যান্ডগ্যাপ
SiC এর একটি প্রশস্ত ব্যান্ডগ্যাপ রয়েছে, যা উচ্চ তাপমাত্রায় কাজ করতে পারে এমন ডিভাইসগুলির বিকাশের অনুমতি দেয়। পাওয়ার ইলেকট্রনিক্স এবং মহাকাশের মতো উচ্চ-তাপমাত্রার অ্যাপ্লিকেশনগুলিতে এটি গুরুত্বপূর্ণ।

 

হ্রাস পাওয়ার লস
SiC সাবস্ট্রেটের সি সাবস্ট্রেটের তুলনায় কম অন-রেজিস্ট্যান্স এবং সুইচিং লস থাকে। এটি উচ্চ-পাওয়ার ইলেকট্রনিক ডিভাইসগুলিতে শক্তি হ্রাস এবং উন্নত দক্ষতার জন্য অনুমতি দেয়।

 

Sic সাবস্ট্রেটের প্রকার

অ্যালুমিনিয়াম নাইট্রাইড সিরামিক সাবস্ট্রেট
হেক্সাগোনাল সিস্টেম, [AlN4] টেট্রাহেড্রাল স্ট্রাকচারাল ইউনিটের উপর ভিত্তি করে সমযোজী বন্ধনযুক্ত wurtzite যৌগ, ভাল তাপ পরিবাহিতা, নির্ভরযোগ্য বৈদ্যুতিক নিরোধক, নিম্ন অস্তরক ধ্রুবক এবং অস্তরক ক্ষতি, অ-বিষাক্ত, এবং সিলিকনের তাপ সম্প্রসারণ সহগ ইত্যাদির সাথে মেলে। চমৎকার বৈশিষ্ট্যের, এটি একটি নতুন প্রজন্মের উচ্চ সমন্বিত সেমিকন্ডাক্টর সাবস্ট্রেট এবং ইলেকট্রনিক প্যাকেজিং উপকরণগুলির জন্য একটি আদর্শ পছন্দ হিসাবে বিবেচিত হয়।
AlN পাউডার তৈরির প্রক্রিয়া, AlN সিরামিকের মূল কাঁচামাল, জটিল, উচ্চ শক্তি খরচ, দীর্ঘ চক্র এবং ব্যয়বহুল। উচ্চ খরচ AlN সিরামিকের বিস্তৃত প্রয়োগকে সীমিত করে, তাই AlN সিরামিক সাবস্ট্রেটগুলি প্রধানত উচ্চ পর্যায়ের শিল্পগুলিতে ব্যবহৃত হয়।
সিলিকন নাইট্রাইড সিরামিক সাবস্ট্রেট
Si3N4 এর তিনটি স্ফটিক কাঠামো রয়েছে, যথা ফেজ, ফেজ এবং ফেজ। তাদের মধ্যে, পর্যায় এবং পর্যায় হল Si3N4-এর সবচেয়ে সাধারণ রূপ, এবং এগুলি সবই ষড়ভুজাকার কাঠামো। Si3N4-এর চমৎকার বৈশিষ্ট্য রয়েছে যেমন উচ্চ কঠোরতা, উচ্চ শক্তি, ছোট তাপ সম্প্রসারণ সহগ, ছোট উচ্চ তাপমাত্রা ক্রীপ, ভাল অক্সিডেশন প্রতিরোধ, ভাল গরম জারা কর্মক্ষমতা, এবং ছোট ঘর্ষণ সহগ।
যাইহোক, Si3N4 সিরামিকের দুর্বল অস্তরক বৈশিষ্ট্য রয়েছে (অস্তরক ধ্রুবক হল 8.3, অস্তরক ক্ষতি হল 0৷{6}}01~0.1) এবং উচ্চ উত্পাদন খরচ, যা একটি ইলেকট্রনিক প্যাকেজিং সিরামিক সাবস্ট্রেট হিসাবে এর প্রয়োগকে সীমিত করে।

সিলিকন কার্বাইড সিরামিক সাবস্ট্রেট
SiC সিরামিক উচ্চ তাপ পরিবাহিতা আছে. উচ্চ তাপমাত্রায় তাপ পরিবাহিতা হল 100w/(m·k)~400W/(m·k), যা Al2O3 এর 13 গুণ। এটির ভাল জারণ প্রতিরোধ ক্ষমতা রয়েছে, এর পচন তাপমাত্রা 2500 ডিগ্রির উপরে এবং এটি এখনও 1600 ডিগ্রির অক্সিডাইজিং বায়ুমণ্ডলে ব্যবহার করা যেতে পারে; এটির ভাল বৈদ্যুতিক নিরোধকও রয়েছে এবং এর তাপ সম্প্রসারণ সহগ Al2O3 এবং AlN এর চেয়ে কম। SiC সিরামিকের শক্তিশালী সমযোজী বন্ধন বৈশিষ্ট্য রয়েছে এবং সিন্টার করা সহজ নয়। ঘনত্ব বাড়ানোর জন্য অল্প পরিমাণে বোরন বা অ্যালুমিনা প্রায়ই সিন্টারিং সহায়ক হিসাবে যোগ করা হয়। পরীক্ষাগুলি দেখায় যে বেরিলিয়াম, বোরন, অ্যালুমিনিয়াম এবং তাদের যৌগগুলি হল সবচেয়ে কার্যকর সংযোজন, যা SiC সিরামিকের ঘনত্ব 98% এর বেশি পৌঁছাতে পারে।

বেরিলিয়াম অক্সাইড সিরামিক সাবস্ট্রেট
ক্ষারীয় আর্থ মেটাল অক্সাইডের মধ্যে BeO হল একমাত্র হেক্সাগোনাল ওয়ার্টজাইট গঠন। যেহেতু BeO এর একটি wurtzite এবং শক্তিশালী সমযোজী বন্ধন গঠন এবং একটি কম আপেক্ষিক আণবিক ভর রয়েছে, এটির উচ্চ তাপ পরিবাহিতা রয়েছে। BeO অ্যালুমিনা হল ঘরের তাপমাত্রায় এর তাপ পরিবাহিতা 250W/(m K) পৌঁছতে পারে এবং এর তাপ পরিবাহিতা ধাতুর তুলনায় 10 গুণ বেশি। উচ্চ তাপমাত্রা এবং উচ্চ ফ্রিকোয়েন্সিতে, এটির ভাল বৈদ্যুতিক বৈশিষ্ট্য, ভাল তাপ প্রতিরোধের এবং ভাল প্রভাব প্রতিরোধ ক্ষমতা রয়েছে। , ভাল রাসায়নিক স্থিতিশীলতা.
যদিও BeO এর কিছু চমৎকার বৈশিষ্ট্য রয়েছে, তবে এর মারাত্মক ত্রুটি হল এর পাউডার অত্যন্ত বিষাক্ত। BeO ধূলিকণার দীর্ঘমেয়াদী শ্বাস-প্রশ্বাস বিষক্রিয়া এবং এমনকি জীবন-হুমকির কারণ হতে পারে এবং পরিবেশ দূষণও ঘটাতে পারে, যা BeO সিরামিক সাবস্ট্রেটের উত্পাদন এবং প্রয়োগের উপর একটি দুর্দান্ত প্রভাব ফেলে [5]। উপরন্তু, BeO-এর উৎপাদন খরচ তুলনামূলকভাবে বেশি, যা এর উৎপাদন ও প্রয়োগকে সীমিত করে।

বোরন নাইট্রাইড সিরামিক সাবস্ট্রেট
বোরন নাইট্রাইড দুটি ভিন্ন স্ফটিক আকারে আসে: ষড়ভুজ এবং ঘন। তাদের মধ্যে, কিউবিক বোরন নাইট্রাইডের উচ্চ কঠোরতা রয়েছে এবং এটি 1500 থেকে 1600 ডিগ্রি উচ্চ তাপমাত্রা সহ্য করতে পারে, এটি সুপারহার্ড উপাদানগুলির জন্য উপযুক্ত করে তোলে। সঠিক তাপ চিকিত্সা অবস্থার অধীনে, হেক্সাগোনাল বোরন নাইট্রাইড খুব উচ্চ তাপমাত্রায় উচ্চ রাসায়নিক এবং যান্ত্রিক স্থিতিশীলতা বজায় রাখতে পারে। বোরন নাইট্রাইড উপাদানের উচ্চ তাপীয় স্থিতিশীলতা, রাসায়নিক স্থিতিশীলতা এবং বৈদ্যুতিক নিরোধক রয়েছে। ঘরের তাপমাত্রায় বোরন নাইট্রাইড সিরামিকের তাপ পরিবাহিতা স্টেইনলেস স্টিলের সমতুল্য, এবং এর অস্তরক বৈশিষ্ট্যগুলি ভাল। বোরন নাইট্রাইড বেশিরভাগ সিরামিকের চেয়ে বেশি ভঙ্গুর, এর একটি ছোট তাপ সম্প্রসারণ সহগ, শক্তিশালী তাপীয় শক প্রতিরোধ ক্ষমতা রয়েছে এবং 1500 ডিগ্রির উপরে তাপমাত্রার পার্থক্যের দ্রুত পরিবর্তন সহ্য করতে পারে।

 

Sic সাবস্ট্রেটের অ্যাপ্লিকেশন
碳化硅晶圆
6H Sic Wafer
4H碳化硅片
70-2

সিক সাবস্ট্রেট, তৃতীয় প্রজন্মের অর্ধপরিবাহী পদার্থের একটি সাধারণ প্রতিনিধি হিসাবে, বর্তমানে সবচেয়ে পরিপক্ক এবং ব্যাপকভাবে ব্যবহৃত প্রশস্ত ব্যান্ডগ্যাপ সেমিকন্ডাক্টর উপকরণগুলির মধ্যে একটি। এর চমৎকার অর্ধপরিবাহী বৈশিষ্ট্য সহ, সিক সাবস্ট্রেট সিরামিক উপকরণগুলি বিভিন্ন ক্ষেত্রে ব্যাপকভাবে ব্যবহৃত হয়েছে। এটি আধুনিক শিল্পে একটি গুরুত্বপূর্ণ উদ্ভাবনী ভূমিকা পালন করে। এটি উচ্চ-তাপমাত্রা, উচ্চ-ফ্রিকোয়েন্সি, বিকিরণ-প্রতিরোধী এবং উচ্চ-শক্তি প্রয়োগের ক্ষেত্রে একটি অত্যন্ত আদর্শ সেমিকন্ডাক্টর উপাদান। Siton এই ধরনের বাজারের সুযোগ সম্পর্কে গভীরভাবে সচেতন ছিল এবং সিলিকন কার্বাইড প্যাকেজিং সাবস্ট্রেট চালু করেছে, যা গ্রাহকদের দ্বারা ব্যাপকভাবে প্রশংসিত হয়েছিল। যেহেতু সিলিকন কার্বাইড পাওয়ার ডিভাইসগুলি ইলেকট্রনিক সরঞ্জামের শক্তি খরচকে উল্লেখযোগ্যভাবে হ্রাস করতে পারে, সিলিকন কার্বাইড ডিভাইসগুলিকে "সবুজ শক্তি ডিভাইস" হিসাবেও পরিচিত যা "নতুন শক্তি বিপ্লব" চালায়।

বিভিন্ন মোটর সিস্টেম
উচ্চ-ভোল্টেজ অ্যাপ্লিকেশনের ক্ষেত্রে, সিলিকন কার্বাইড সিরামিক সাবস্ট্রেট ব্যবহার করে সেমিকন্ডাক্টর সিলিকন কার্বাইড পাওয়ার ডিভাইসগুলির শক্তি খরচে উল্লেখযোগ্য হ্রাস রয়েছে। সরঞ্জামগুলির তাপ উত্পাদন ব্যাপকভাবে হ্রাস পেয়েছে এবং স্যুইচিং ক্ষতি 92% পর্যন্ত হ্রাস করা যেতে পারে। এটি সরঞ্জামের শীতল প্রক্রিয়াটিকে আরও সরল করতে পারে। সরঞ্জামের ক্ষুদ্রকরণ তাপ অপচয়ের জন্য ধাতব পদার্থের ব্যবহারকে ব্যাপকভাবে হ্রাস করে।

সেমিকন্ডাক্টর LED আলোর ক্ষেত্র
Sic সাবস্ট্রেটের উচ্চ-পাওয়ার LED-তে দারুণ সুবিধা রয়েছে। সিসি সাবস্ট্রেট সিরামিক সাবস্ট্রেট ব্যবহার করে এলইডিগুলির উজ্জ্বলতা বেশি, কম শক্তি খরচ, দীর্ঘ পরিষেবা জীবন এবং ছোট ইউনিট চিপ এলাকা রয়েছে।

নতুন শক্তির যানবাহন
নতুন শক্তির অটোমোবাইল শিল্পের জন্য ইনভার্টারগুলির নির্ভরযোগ্যতা প্রয়োজন যা উচ্চ-তীব্রতার স্রোত পরিচালনা করার সময় সাধারণ শিল্প ইনভার্টারগুলির তুলনায় অনেক বেশি; SiC Sic সাবস্ট্রেটের ভাল তাপ অপচয়, উচ্চ দক্ষতা, উচ্চ তাপমাত্রা প্রতিরোধের এবং উচ্চ নির্ভরযোগ্যতা রয়েছে। ) সিরামিক সাবস্ট্রেট সম্পূর্ণরূপে নতুন শক্তি যানবাহন প্রয়োজনীয়তা পূরণ করে. সিসি সাবস্ট্রেট সিরামিক সাবস্ট্রেটগুলির ক্ষুদ্রকরণ নতুন শক্তির যানবাহনের শক্তি হ্রাসকে উল্লেখযোগ্যভাবে হ্রাস করতে পারে, তাদের এখনও বিভিন্ন কঠোর পরিবেশে স্বাভাবিকভাবে কাজ করার অনুমতি দেয়।

 

অ্যালুমিনিয়াম সিক সাবস্ট্রেটের জন্য সাধারণত ব্যবহৃত সারফেস ট্রিটমেন্ট প্রসেস

 

 

Sic সাবস্ট্রেটের চমৎকার বৈশিষ্ট্য রয়েছে যেমন উচ্চ নির্দিষ্ট শক্তি, নির্দিষ্ট দৃঢ়তা, পরিধান প্রতিরোধ ক্ষমতা এবং নিম্ন তাপ সম্প্রসারণ সহগ, এবং মহাকাশ, স্বয়ংচালিত ইঞ্জিন, নির্ভুল যন্ত্র, ইলেকট্রনিক প্যাকেজিং, ক্রীড়া সরঞ্জাম ইত্যাদিতে গুরুত্বপূর্ণ প্রয়োগের সম্ভাবনা রয়েছে। তবে, অ্যালুমিনিয়াম সিলিকন কার্বাইড। একটি কঠিন-থেকে-প্রক্রিয়াজাত উপাদান এবং ব্যাপকভাবে উৎপাদন করা কঠিন, যা এর প্রয়োগের সুযোগকে ব্যাপকভাবে সীমিত করে। এটি প্রধানত কারণ অ্যালুমিনিয়াম সিলিকন কার্বাইড প্রক্রিয়াকরণ টুলটির গুরুতর ক্ষতি করে। যদি কোন উপযুক্ত প্রক্রিয়াকরণ প্রযুক্তি না থাকে, তাহলে টুলের খরচ বাড়বে। সুউচ্চ।

অ্যালুমিনিয়াম সিলিকন কার্বাইড যৌগিক পদার্থে কণা ফেজের অস্তিত্বের কারণে, উপাদানটির অ-ইউনিফর্ম ধাতুবিদ্যাগত ত্রুটিগুলি বৃদ্ধি পায়, যা ক্ষয়কারী মিডিয়াতে উপাদানটির ক্ষয় প্রতিরোধ ক্ষমতাকে শক্তিশালীকরণ ফেজ ছাড়া ম্যাট্রিক্স খাদের চেয়ে খারাপ করে তোলে, কারণ শক্তিশালীকরণ ফেজ নিজেই একটি জারা সক্রিয় কেন্দ্র হিসাবে কাজ করতে পারে, এবং ম্যাট্রিক্স ফেজ পরিবর্তনের গতিপ্রক্রিয়া পরিবর্তন করতে পারে, একটি প্রসিপিটেটেড ফেজ গঠন করে যা ম্যাট্রিক্স এবং রিইনফোর্সড ফেজের মধ্যে ইন্টারফেসে সহজেই ক্ষয় ঘটাতে পারে। ইন্টারফেসের অবশিষ্ট স্ট্রেস এবং উচ্চ-ঘনত্বের স্থানচ্যুতিগুলি সহজেই পিটিং ক্ষয় সৃষ্টি করতে পারে। অ্যালুমিনিয়াম সিলিকন কার্বাইড কম্পোজিটগুলির কার্যকর পৃষ্ঠ চিকিত্সা জারা, পরিধান এবং উচ্চ তাপমাত্রার অক্সিডেশনের কারণে ক্ষতি থেকে উপাদানটিকে রক্ষা করতে পারে। বর্তমানে, অ্যালুমিনিয়াম সিলিকন কার্বাইড পৃষ্ঠ চিকিত্সা পদ্ধতির মধ্যে রয়েছে মাইক্রো-আর্ক অক্সিডেশন, অ্যানোডাইজিং, রাসায়নিক প্যাসিভেশন, জৈব আবরণ এবং ইলেক্ট্রোলেস নিকেল প্লেটিং।

 

 

কারুশিল্প সিক সাবস্ট্রেট

কাঁচামাল নিষ্পেষণ:পেট্রোলিয়াম কোককে প্রক্রিয়ার জন্য প্রয়োজনীয় কণা আকারে পিষতে একটি হাতুড়ি পেষণকারী ব্যবহার করুন।
ব্যাচিং এবং মিক্সিং:নির্ধারিত ফর্মুলা অনুযায়ী ওজন করুন এবং মিশ্রিত করুন। এই প্রকল্পটি ব্যাচিংয়ের জন্য একটি প্ল্যাটফর্ম এবং মিশ্রণের জন্য একটি কংক্রিট মিক্সার ব্যবহার করে।
সিলিকন কার্বাইড বৈদ্যুতিক চুল্লি প্রস্তুতি:চুল্লির নীচের উপাদানগুলি পরিষ্কার করুন, ইলেক্ট্রোডগুলি ছাঁটাই করুন, চুল্লির প্রাচীর পরিষ্কার করুন এবং মেরামত করুন, পাওয়ার এবং প্রথম গিয়ার ইনস্টল করুন, চুল্লির অন্যান্য ত্রুটিগুলি পরীক্ষা করুন এবং দূর করুন।
চুল্লি লোড হচ্ছে:চুল্লির উপাদানের নির্দিষ্ট ধরন, অবস্থান এবং আকার অনুযায়ী প্রতিক্রিয়া উপকরণ, নিরোধক উপকরণ এবং চুল্লির মূল উপাদান দিয়ে চুল্লিটি পূরণ করুন এবং গলিত চুল্লির পাশের দেয়াল তৈরি করুন যাতে নিরোধক এবং উপাদান ধারণের কাজ রয়েছে।
সিলিকন কার্বাইড গলানোর জন্য শক্তি পাঠান:সিলিকন কার্বাইড বৈদ্যুতিক চুল্লিটি ট্রান্সফরমারের সাথে সংযুক্ত করুন এবং তারপরে শক্তি পাঠান। CO জ্বালানোর জন্য প্রথম 15 মিনিটের জন্য একটি খোলা শিখা ব্যবহার করা হয়। গলানোর প্রক্রিয়াটি 170 ঘন্টা স্থায়ী হয়। উপরের সিলিকন কার্বাইডের সাধারণ উত্পাদন প্রক্রিয়া। নির্দিষ্ট উত্পাদন প্রক্রিয়া প্রস্তুতকারক এবং পণ্যের প্রয়োজনীয়তার উপর নির্ভর করে পরিবর্তিত হতে পারে।

Sic Substrate

 

অ্যালুমিনিয়াম সিলিকন কার্বাইড সাবস্ট্রেট এবং সিলিকন নাইট্রাইড সাবস্ট্রেটের মধ্যে পার্থক্য

 

অ্যালুমিনিয়াম সিলিকন কার্বাইড সাবস্ট্রেটগুলি রেল যানবাহন, বিমান, সেমিকন্ডাক্টর IGBT ডিভাইস এবং অন্যান্য পণ্য ক্ষেত্রে ব্যবহৃত হয়, প্রধানত কারণ অ্যালুমিনিয়াম-ভিত্তিক সিলিকন কার্বাইড সাবস্ট্রেটের উচ্চ তাপ পরিবাহিতা, একটি তাপ সম্প্রসারণ সহগ যা চিপের সাথে ভাল মেলে, হালকা ওজন, কম ঘনত্ব, উচ্চতা। কঠোরতা এবং উচ্চ প্রতিরোধের নমন শক্তি.

সিলিকন কার্বাইড সাবস্ট্রেট এবং সিলিকন নাইট্রাইড সাবস্ট্রেটের বৈশিষ্ট্য এবং সুবিধা
সিলিকন কার্বাইড সাবস্ট্রেট অ্যালুমিনিয়াম সিলিকন কার্বাইড (AISiC) হল সিলিকন কার্বাইড কণা রিইনফোর্সড কম্পোজিট উপাদানের সংক্ষিপ্ত রূপ, যা অ্যালুমিনিয়াম সিলিকন কার্বাইড বা অ্যালুমিনিয়াম সিলিকন কার্বন নামেও পরিচিত। এটি সামরিক শিল্পে প্রয়োগ করা হলে এটির খুব গুরুত্বপূর্ণ এবং অসামান্য সুবিধা রয়েছে।
● AISiC এর উচ্চ তাপ পরিবাহিতা (170~200W/mK), যা সাধারণ প্যাকেজিং উপকরণের দশগুণ। এটি একটি সময়মত চিপ দ্বারা উত্পন্ন তাপ নষ্ট করতে পারে এবং পুরো উপাদানটির নির্ভরযোগ্যতা এবং স্থিতিশীলতা উন্নত করতে পারে।
● AISiC-এর তাপীয় সম্প্রসারণ সহগ সেমিকন্ডাক্টর চিপ এবং সিরামিক সাবস্ট্রেটের সাথে ভালভাবে মিলে যায়। সামঞ্জস্যযোগ্য তাপ সম্প্রসারণ সহগ (6.5~9.5x10-6/K) ক্লান্তি ব্যর্থতা প্রতিরোধ করতে পারে এবং পাওয়ার চিপটি সরাসরি AISiC বেস প্লেটে ইনস্টল করা যেতে পারে। উচ্চতর
● সিলিকন কার্বাইড সাবস্ট্রেট ওজনে হালকা, কঠোরতা শক্তিশালী, বাঁকানোর শক্তি বেশি এবং ভাল ভূমিকম্প প্রতিরোধ ক্ষমতা রয়েছে। কঠোর পরিবেশে পছন্দের উপাদান।

সিলিকন কার্বাইড সাবস্ট্রেট এবং সিলিকন নাইট্রাইড সাবস্ট্রেটের প্রয়োগ ভিন্ন
সিলিকন নাইট্রাইড সিরামিক সাবস্ট্রেটগুলির উচ্চ যান্ত্রিক শক্তি, পরিধান প্রতিরোধের এবং ভাল তাপ পরিবাহিতা রয়েছে। এগুলি প্রধানত মহাকাশ, স্বয়ংচালিত ইঞ্জিন, স্বয়ংচালিত শক শোষক, যান্ত্রিক চিকিৎসা সরঞ্জাম, শিল্প ভাটা, বুদ্ধিমান ইলেকট্রনিক সরঞ্জাম, উচ্চ-শক্তি মডিউল এবং অন্যান্য ক্ষেত্রে ব্যবহৃত হয়। উদ্দেশ্য; সিলিকন কার্বাইড রেল ইঞ্জিন, বিমান, সেমিকন্ডাক্টর আইজিবিটি ডিভাইস এবং অন্যান্য পণ্য ক্ষেত্রগুলিতে ব্যবহৃত হয় এবং এটি সামরিক শিল্পেও ভাল অ্যাপ্লিকেশন রয়েছে।

 

আমাদের কারখানা

 

কাস্টম-মেড সিলিকন ওয়েফার, সিড ক্রিস্টাল, সিলিকন টার্গেট এবং স্পেসারে আমাদের বিশেষীকরণ আমাদের সেমিকন্ডাক্টর এবং সৌর শিল্প জুড়ে বিভিন্ন চাহিদা মেটাতে দেয়। ব্যক্তিগতকৃত পরিষেবা প্রদানের প্রতি আমাদের প্রতিশ্রুতি আমাদের ক্লায়েন্টদের তাদের নির্দিষ্ট প্রকল্পের লক্ষ্যগুলি নির্ভুলতা এবং দক্ষতার সাথে অর্জন করতে সক্ষম করে।

productcate-637-466
productcate-637-466

 

FAQ

 

প্রশ্ন: সেমিকন্ডাক্টর অ্যাপ্লিকেশনের জন্য সিলিকন সাবস্ট্রেটের উপর SiC সাবস্ট্রেট ব্যবহার করার সুবিধা কী কী?

উত্তর: উচ্চতর তাপ পরিবাহিতা, বৃহত্তর ব্যান্ডগ্যাপ এবং উচ্চতর ব্রেকডাউন ভোল্টেজ সহ ঐতিহ্যবাহী সিলিকন সাবস্ট্রেটের তুলনায় SiC সাবস্ট্রেটগুলি বেশ কিছু সুবিধা প্রদান করে। এই বৈশিষ্ট্যগুলি উচ্চ তাপমাত্রা, ভোল্টেজ এবং ফ্রিকোয়েন্সিতে কাজ করতে সক্ষম ডিভাইসগুলির বিকাশকে সক্ষম করে, যা পাওয়ার ইলেকট্রনিক্স, উচ্চ-তাপমাত্রার ইলেকট্রনিক্স এবং আরএফ/মাইক্রোওয়েভ অ্যাপ্লিকেশনগুলির জন্য বিশেষভাবে উপকারী।

প্রশ্ন: SiC সাবস্ট্রেটগুলি কীভাবে তৈরি করা হয়?

উত্তর: SiC সাবস্ট্রেটগুলি সাধারণত ভৌত বাষ্প পরিবহন (PVT) পদ্ধতি ব্যবহার করে জন্মানো হয়। এই প্রক্রিয়ায়, উচ্চ-বিশুদ্ধতার SiC ফিডস্টক একটি ক্রুসিবলে স্থাপন করা হয় এবং নিয়ন্ত্রিত বায়ুমণ্ডলীয় অবস্থার অধীনে উচ্চ তাপমাত্রায় উত্তপ্ত করা হয়। SiC বাষ্প ক্রুসিবলের উত্তপ্ত অঞ্চল থেকে শীতল অঞ্চলে স্থানান্তরিত হয়, যেখানে এটি একটি বীজ স্ফটিকের উপর স্ফটিক হয়ে স্তর তৈরি করে।

প্রশ্ন: SiC সাবস্ট্রেটগুলির সাধারণ স্ফটিক অভিযোজন কী?

উত্তর: SiC সাবস্ট্রেটগুলির জন্য সবচেয়ে সাধারণ স্ফটিক অভিযোজন হল (001) এবং (0001), যেগুলিকে 4H এবং 6H পলিটাইপ হিসাবে উল্লেখ করা হয়। এই অভিযোজনগুলি পছন্দ করা হয় কারণ এগুলি ভাল কাঠামোগত স্থিতিশীলতা প্রদান করে এবং বেশিরভাগ SiC ডিভাইস তৈরির প্রক্রিয়াগুলির সাথে সামঞ্জস্যপূর্ণ।

প্রশ্ন: SiC সাবস্ট্রেটগুলি কীভাবে চিহ্নিত করা হয়?

উত্তর: SiC সাবস্ট্রেটগুলি ক্রিস্টালোগ্রাফিক গুণমান, ত্রুটির ঘনত্ব, বৈদ্যুতিক পরিবাহিতা, তাপ পরিবাহিতা এবং পৃষ্ঠের রুক্ষতা সহ বিভিন্ন শারীরিক এবং কাঠামোগত বৈশিষ্ট্যগুলির জন্য চিহ্নিত করা হয়। এক্স-রে ডিফ্র্যাকশন (এক্সআরডি), ট্রান্সমিশন ইলেক্ট্রন মাইক্রোস্কোপি (টিইএম), এবং ফটোলুমিনেসেন্স (পিএল) স্পেকট্রোস্কোপির মতো কৌশলগুলি সাধারণত চরিত্রায়নের জন্য ব্যবহৃত হয়।

প্রশ্ন: SiC ডিভাইসের কার্যকারিতার উপর সাবস্ট্রেট মানের প্রভাব কী?

উত্তর: SiC সাবস্ট্রেটের গুণমান SiC ডিভাইসগুলির কার্যকারিতার উপর উল্লেখযোগ্য প্রভাব ফেলে। কম ত্রুটির ঘনত্ব সহ একটি উচ্চ-মানের সাবস্ট্রেট উন্নত বৈদ্যুতিক বৈশিষ্ট্য, উচ্চ দক্ষতা এবং দীর্ঘ জীবনকাল সহ ডিভাইসগুলির ফলাফল হতে পারে। বিপরীতভাবে, উচ্চ ত্রুটির ঘনত্ব সহ সাবস্ট্রেটগুলি ডিভাইসের কার্যকারিতা এবং নির্ভরযোগ্যতা হ্রাস করতে পারে।

প্রশ্ন: একটি SiC উপাদান কি?

উত্তর: সিলিকন কার্বাইড (SiC) হল একটি সিন্থেটিক, অর্ধপরিবাহী সূক্ষ্ম সিরামিক যা শিল্প বাজারের বিস্তৃত ক্রস-সেকশনে উৎকৃষ্ট। উচ্চ-ঘনত্ব এবং খোলা ছিদ্রযুক্ত কাঠামো উভয়েরই প্রাপ্যতার কারণে নির্মাতারা সিলিকন কার্বাইড গ্রেডের একটি সারগ্রাহী অফার থেকে উপকৃত হয়।

প্রশ্নঃ রসায়নে SiC কি?

উত্তর: সিলিকন কার্বাইড (SiC), কার্বোরান্ডাম (/ˌkɑːrbəˈrʌndəm/) নামেও পরিচিত, এটি একটি শক্ত রাসায়নিক যৌগ যাতে সিলিকন এবং কার্বন থাকে। একটি অর্ধপরিবাহী, এটি অত্যন্ত বিরল খনিজ ময়সানাইট হিসাবে প্রকৃতিতে দেখা যায়, তবে 1893 সাল থেকে এটি একটি ক্ষয়কারী হিসাবে ব্যবহারের জন্য পাউডার এবং স্ফটিক হিসাবে ব্যাপকভাবে উত্পাদিত হয়েছে।

প্রশ্ন: সেমিকন্ডাক্টরে SiC বলতে কী বোঝায়?

উত্তর: SiC (সিলিকন কার্বাইড) হল একটি যৌগিক অর্ধপরিবাহী যা সিলিকন এবং কার্বাইডের সমন্বয়ে গঠিত। SiC সিলিকনের উপর অনেক সুবিধা প্রদান করে, যার মধ্যে 10x ব্রেকডাউন বৈদ্যুতিক ক্ষেত্রের শক্তি, 3x ব্যান্ড গ্যাপ, এবং ডিভাইস নির্মাণের জন্য প্রয়োজনীয় p- এবং n-টাইপ নিয়ন্ত্রণের বিস্তৃত পরিসর সক্ষম করা।

প্রশ্নঃ SiC সাবস্ট্রেট কিভাবে তৈরি হয়?

উত্তর: বর্তমানে, সিলিকন কার্বাইড সাবস্ট্রেটের শিল্প উত্পাদন প্রধানত PVT পদ্ধতির উপর ভিত্তি করে। এই পদ্ধতিতে উচ্চ তাপমাত্রা এবং ভ্যাকুয়াম দিয়ে পাউডারকে উজ্জীবিত করতে হবে, এবং তারপর উপাদানগুলিকে তাপ ক্ষেত্র নিয়ন্ত্রণের মাধ্যমে বীজের পৃষ্ঠে বাড়তে দিন, যাতে সিলিকন কার্বাইড ক্রিস্টাল পাওয়া যায়।

প্রশ্নঃ SiC কি নামেও পরিচিত?

উত্তর: সিলিকন কার্বাইড, যা সাধারণত কার্বোরান্ডাম নামেও পরিচিত, এটি সিলিকন এবং কার্বনের একটি যৌগ। সিলিকন কার্বাইড সেমিকন্ডাক্টর ডিভাইসে অ্যাপ্লিকেশনের জন্য একটি উদীয়মান উপাদান হিসাবে একটি অর্ধপরিবাহী উপাদান। সিলিকন কার্বাইড 1891 সালে পেনসিলভানিয়ান এডওয়ার্ড অ্যাচেসন আবিষ্কার করেছিলেন।

প্রশ্ন: SiO2 এবং SiC-এর মধ্যে পার্থক্য কী?

উত্তর: SiO2 ভিত্তিক আবরণগুলির বিপরীতে SiC ভিত্তিক আবরণটি আসলে পেইন্টের সাথে বন্ধন করে এবং সেই প্রক্রিয়ায় একটি রাসায়নিক বিক্রিয়া হিসাবে SiC তৈরি হয়, সিরামিকের ন্যানো কণা রজনে ভাসতে না করে।

প্রশ্ন: SiC কি বৈদ্যুতিকভাবে পরিবাহী?

উত্তর: একটি অর্ধপরিবাহী এবং বৈদ্যুতিক পরিবাহী হিসাবে এর ভূমিকার জন্য এর উল্লেখযোগ্য কঠোরতা এবং পরিধান প্রতিরোধের থেকে, সিলিকন কার্বাইড দক্ষতা এবং নির্ভরযোগ্যতার অগ্রগতি তৈরি করে চলেছে।

প্রশ্নঃ SIC কত প্রকার?

উত্তর: যদিও SiC-এর 100 টিরও বেশি পরিচিত পলিটাইপ রয়েছে, শুধুমাত্র কয়েকটি সাধারণত সেমিকন্ডাক্টর হিসাবে ব্যবহারের জন্য গ্রহণযোগ্য পুনরুত্পাদনযোগ্য আকারে জন্মায়। ইলেকট্রনিক্সের জন্য SiC-এর সবচেয়ে সাধারণ পলিটাইপগুলি হল 3C-SiC, 4H-SiC এবং 6H-SiC৷

প্রশ্ন: কেন সিলিকন কার্বাইড এত গুরুত্বপূর্ণ?

উত্তর: একটি প্রশস্ত ব্যান্ডগ্যাপ (WBG) উপাদান ছোট ব্যান্ডগ্যাপ সেমিকন্ডাক্টরের চেয়ে বেশি দক্ষতার সাথে বৈদ্যুতিক শক্তিকে সরাতে পারে। এটি সিলিকন কার্বাইডকে বৈদ্যুতিক যানের ট্র্যাকশন ইনভার্টার এবং বৈদ্যুতিক গাড়ির চার্জার এবং এয়ার কন্ডিশনার (জিবার্গ) এর জন্য ডিসি/ডিসি রূপান্তরকারীর মতো পাওয়ার ইলেকট্রনিক্সের জন্য বিশেষভাবে উপযোগী করে তোলে।

প্রশ্নঃ সিলিকন কার্বাইড কোথায় পাওয়া যায়?

উত্তর: সিলিকন কার্বাইড হল একমাত্র কার্বাইড যা সিরামিক উপাদান হিসাবে প্রধান অ্যাপ্লিকেশন খুঁজে পায়। এটি প্রকৃতিতে শুধুমাত্র উল্কাপিণ্ডে অল্প পরিমাণে পাওয়া যায় যেখানে এটির নামকরণ করা হয়েছে ময়সানাইট (আবিষ্কারকারী মোইসান থেকে)।

প্রশ্ন: SiC জারা প্রতিরোধী?

উত্তর: চাপবিহীন সিন্টারযুক্ত সিলিকন কার্বাইড প্রায় সর্বজনীনভাবে জারা-প্রতিরোধী। এটি সমস্ত সাধারণ অ্যাসিডের বিরুদ্ধে প্রতিরোধ করে (যেমন হাইড্রোক্লোরিক অ্যাসিড, সালফিউরিক অ্যাসিড, হাইড্রোব্রোমিক অ্যাসিড এবং হাইড্রোফ্লোরিক অ্যাসিড), বেস (যেমন অ্যামাইনস, পটাশ এবং কস্টিক সোডা), সমস্ত দ্রাবক এবং অক্সিডাইজিং মিডিয়া (যেমন নাইট্রিক অ্যাসিড)।

প্রশ্ন: SiO2 কি ভাল না খারাপ?

উত্তর: সিলিকন ডাই অক্সাইড একটি যৌগ যা প্রাকৃতিকভাবে ঘটে। এটি গাছপালা এবং পৃথিবীর ভূত্বকের মধ্যে প্রচুর পরিমাণে বিদ্যমান এবং এমনকি মানুষ এবং অন্যান্য প্রাণীর মধ্যেও এটির পথ তৈরি করে। সিলিকন ডাই অক্সাইড খাদ্য সংযোজক হিসাবে বিপজ্জনক বলে পরামর্শ দেওয়ার কোনও প্রমাণ এখনও নেই। যাইহোক, নিয়মিত সিলিকন ধুলো শ্বাস খুব বিপজ্জনক।

গরম ট্যাগ: sic সাবস্ট্রেট, চীন sic সাবস্ট্রেট নির্মাতারা, সরবরাহকারী, কারখানা

তুমি এটাও পছন্দ করতে পারো

(0/10)

clearall