আল্ট্রা-মসৃণ সিলিকন ইনগট

আল্ট্রা-মসৃণ সিলিকন ইনগট

আল্ট্রা-মসৃণ সিলিকন ইনগট এমন নির্মাতাদের জন্য ডিজাইন করা হয়েছে যারা পাতলা-ওয়েফার প্রযুক্তি এবং উচ্চ-গতির স্বয়ংক্রিয় উৎপাদনের সীমা ঠেলে দেয়। ভূপৃষ্ঠের রুক্ষতা যে অবশিষ্টাংশ ইংগট স্ট্রেসের একটি প্রত্যক্ষ বহিঃপ্রকাশ তা স্বীকার করে, এই ইনগটগুলি একটি মালিকানা ব্যবহার করে জন্মানো হয়আইসোথার্মাল স্ট্রেস-নিরপেক্ষকরণপ্রোটোকল এটি নিশ্চিত করে যে স্ফটিক ম্যাট্রিক্স শিথিল এবং মূল থেকে পরিধি পর্যন্ত অভিন্ন। স্লাইসিং পর্বের সময়, উপাদানটি একটি "আথার্মাল রেসপন্স" প্রদর্শন করে, যার অর্থ হীরার তারটি ন্যূনতম ঘর্ষণ এবং কম্পনের সাথে সিলিকনের মধ্য দিয়ে গ্লাইড করে। ফলাফল হল একটি "কাছের-প্রাইম" ওয়েফার সারফেস যার জন্য উল্লেখযোগ্যভাবে কম রাসায়নিক এচিং এবং পলিশিং প্রয়োজন, যা সাবস্ট্রেটের যান্ত্রিক অখণ্ডতা রক্ষা করে সরাসরি আপনার অপারেশনাল খরচ (OpEx) কমিয়ে দেয়।

অভ্যন্তরীণ চাপ কমানোর জন্য প্রকৌশলী:আমাদের অতি-মসৃণ প্রযুক্তি উন্নত "ধীর-ঠান্ডা" থার্মাল প্রোফাইলিং এবং ইলেক্ট্রোম্যাগনেটিক মেল্ট স্টেবিলাইজেশন ব্যবহার করে। স্ফটিকের মধ্যে চাপকে "লক" করে এমন দ্রুত তাপমাত্রার ওঠানামা দূর করার মাধ্যমে, আমরা একটি স্থিতিশীল জালি দিয়ে একটি ইংগট তৈরি করি, যাতে ওয়েফারগুলি পুরোপুরি ফ্ল্যাট এবং স্ট্রেসমুক্ত থাকে-90 μm.

হ্রাসকৃত মাইক্রোক্র্যাক গঠন এবং সাব-সারফেস ড্যামেজ (SSD):বিশেষভাবে 2026-জেন হাই-টেনশন ডায়মন্ড-তারের করাতের জন্য অপ্টিমাইজ করা, এই ইনগটগুলিতে একটি সমজাতীয় ঘনত্ব রয়েছে যা ভঙ্গুর ফ্র্যাকচার প্রতিরোধ করে। মাইক্রোক্র্যাক সূচনার এই হ্রাস একটি উচ্চতর "নিট পুনরুদ্ধারের হার" নিশ্চিত করে এবং পরবর্তী উচ্চ-তাপমাত্রার প্রসারণ এবং কোষ-সমাবেশের পর্যায়ে ত্রুটিগুলির বিস্তার রোধ করে।

অপ্টিমাইজড প্যাসিভেশনের জন্য মসৃণ ওয়েফার সারফেস:ফলস্বরূপ ওয়েফারগুলির "আল্ট্রা-মসৃণ" প্রকৃতি ALD (পারমাণবিক স্তর জমা) এবং PECVD প্রক্রিয়াগুলির জন্য একটি উচ্চতর ভিত্তি প্রদান করে। কম পৃষ্ঠের চূড়া এবং উপত্যকাগুলির সাথে, প্যাসিভেশন স্তরগুলি আরও সমানভাবে প্রয়োগ করা যেতে পারে, উল্লেখযোগ্যভাবে ক্যারিয়ারের পুনর্মিলন হ্রাস করে এবং TOPCon এবং HJT আর্কিটেকচারের চূড়ান্ত রূপান্তর দক্ষতাকে বাড়িয়ে তোলে।

গরম ট্যাগ: আল্ট্রা-মসৃণ সিলিকন ইংগট, চায়না আল্ট্রা-মসৃণ সিলিকন ইনগট নির্মাতা, সরবরাহকারী, কারখানা