সিলিকন প্রসেস বেস
এই সিলিকন প্রক্রিয়া বেসটি একটি হিসাবে কাজ করার জন্য সতর্কতার সাথে আর্কিটেক্ট করা হয়েছেস্থিতিশীল উত্পাদন প্ল্যাটফর্মউন্নত ইলেকট্রনিক ডিভাইস ইন্টিগ্রেশন জন্য. থেকে সম্পূর্ণ বর্ণালী সমর্থন2-ইঞ্চি (50 মিমি) থেকে 12-ইঞ্চি (300 মিমি), এই ঘাঁটিগুলি সবচেয়ে নিবিড় সহ্য করতে সক্ষম একটি উচ্চ-বিশ্বস্ততা ইন্টারফেস প্রদান করার জন্য ডিজাইন করা হয়েছেতাপীয় এবং যান্ত্রিক পদক্ষেপকাঠামোগত বা বৈদ্যুতিক অখণ্ডতার সাথে আপস না করে।
আপোষহীন কাঠামোগত অখণ্ডতা:বেস ইঞ্জিনিয়ার করা হয়বানোয়াট সময় তার অখণ্ডতা বজায় রাখা, এমনকি উচ্চ-তাপমাত্রা বিস্তার এবং দ্রুত তাপ প্রক্রিয়াকরণের (RTP) সময়ও মাইক্রো-ওয়ার্পিং এবং জালি স্লিপ প্রতিরোধ করে৷ এই কাঠামোগত স্থিতিস্থাপকতা নিশ্চিত করে যে বহু-স্তরের সারিবদ্ধকরণগুলি সুনির্দিষ্ট থাকে, যা উচ্চ-ঘনত্বের যুক্তির বিকাশের জন্য গুরুত্বপূর্ণ এবংপাওয়ার আইসি (IGBT/MOSFET)স্থাপত্য
ন্যূনতম প্রক্রিয়া পরিবর্তন:নির্ভরযোগ্য বস্তুগত আচরণ হল উচ্চ-ফলন উৎপাদনের ভিত্তি। একটি অত্যন্ত অভিন্ন রেডিয়াল রেজিসিটিভিটি প্রোফাইল বজায় রেখে এবং ইন্টারস্টিশিয়াল অমেধ্য কমিয়ে দিয়ে, আমাদের প্রক্রিয়া বেসঅপ্রত্যাশিত বৈচিত্র কমাতেএচ রেট এবং পাতলা-ফিল্ম ডিপোজিশনে। এই সামঞ্জস্যতা বিভিন্ন উত্পাদন ব্যাচ জুড়ে আরও অনুমানযোগ্য প্রক্রিয়া উইন্ডোর জন্য অনুমতি দেয়।
জটিল রুটের সাথে সামঞ্জস্যতা:জন্য উপযোগীজটিল প্রক্রিয়াকরণ রুট, বেস আধুনিক স্বয়ংক্রিয় ফাউন্ড্রিগুলির মধ্যে নির্বিঘ্নে কাজ করে। এর উচ্চতর পৃষ্ঠের রূপবিদ্যা এবং প্রান্ত প্রোফাইলিং সমর্থন করে দীর্ঘ-কেমিক্যাল-মেকানিক্যাল প্ল্যানারাইজেশন (CMP) এবং আয়ন ইমপ্লান্টেশনের সময় দীর্ঘমেয়াদী স্থিতিশীলতা, নিশ্চিত করে যে সমাপ্ত উপাদানগুলি স্বয়ংচালিত এবং শিল্প খাতে সবচেয়ে কঠোর নির্ভরযোগ্যতার মান পূরণ করে।
