সিলিকন ওয়েফার ডিস্ক সাবস্ট্রেট

সিলিকন ওয়েফার ডিস্ক সাবস্ট্রেট

আমাদের প্রিমিয়াম সিলিকন ওয়েফার ডিস্ক সাবস্ট্রেটগুলি উন্নত সেমিকন্ডাক্টর ফ্যাব্রিকেশনের জন্য একটি মজবুত এবং অতি{0}}স্থিতিশীল ভিত্তি প্রদানের জন্য তৈরি করা হয়েছে৷ থেকে সমস্ত মান ব্যাস আচ্ছাদন2-ইঞ্চি (50 মিমি) থেকে 12-ইঞ্চি (300 মিমি), এই সাবস্ট্রেটগুলি ফাউন্ড্রি এবং IDMগুলির জন্য পছন্দের পছন্দ যা উচ্চ-কার্যক্ষমতাসম্পন্ন ইলেকট্রনিক ডিভাইস তৈরিতে ফোকাস করে৷

মূল প্রযুক্তিগত সুবিধা:

ইলেকট্রনিক-গ্রেড বিশুদ্ধতা:আমরা শিল্পের সাথে 100% সেমিকন্ডাক্টর-গ্রেড (ইজি) সিলিকন প্রদান করি-নেতৃস্থানীয় বিশুদ্ধতা স্তর, উচ্চতর ক্যারিয়ারের গতিশীলতা এবং ক্রস-দূষণের ঝুঁকি ছাড়াই ডিভাইসের স্থিতিশীল কর্মক্ষমতা নিশ্চিত করে।

মাইক্রোন-স্তরের নির্ভুলতা:প্রতিটি ডিস্ক কঠোর টোটাল থিকনেস ভ্যারিয়েশন (টিটিভি) এবং ওয়ার্প স্পেসিফিকেশন পূরণ করার জন্য প্রক্রিয়া করা হয়, যা উচ্চ-নির্ভুল ফটোলিথোগ্রাফি এবং জটিল মাল্টি-স্তর জমার অনুমতি দেয়।

ব্যতিক্রমী উপাদান অভিন্নতা:আমরা সমস্ত উপাদান জুড়ে ধারাবাহিক প্রতিরোধ ক্ষমতা এবং অক্সিজেন/কার্বন সামগ্রীর গ্যারান্টি দিই, বড়-উৎপাদন ব্যাচ জুড়ে পুনরাবৃত্তিযোগ্য ফলাফল নিশ্চিত করে।

কাঠামোগত নির্ভরযোগ্যতা:অত্যন্ত উচ্চ-তাপমাত্রা অ্যানিলিং এবং যান্ত্রিক চাপের অধীনে এর অখণ্ডতা বজায় রাখার জন্য ডিজাইন করা হয়েছে, আমাদের সাবস্ট্রেটগুলি এর জন্য অপ্টিমাইজ করা হয়েছেপাওয়ার ডিভাইস (IGBT/MOSFET), RF মাইক্রোইলেক্ট্রনিক্স, এবং MEMS.

গরম ট্যাগ: সিলিকন ওয়েফার ডিস্ক সাবস্ট্রেট, চীন সিলিকন ওয়েফার ডিস্ক সাবস্ট্রেট নির্মাতারা, সরবরাহকারী, কারখানা