সিলিকন ওয়েফার স্ট্রাকচার

সিলিকন ওয়েফার স্ট্রাকচার

আমাদের সেমিকন্ডাক্টর-গ্রেডের সিলিকন ওয়েফার স্ট্রাকচারগুলি পারমাণবিক স্তরে তৈরি করা হয় যাতে সমগ্র জুড়ে অত্যন্ত নিয়ন্ত্রিত ফ্যাব্রিকেশনের সুবিধা হয়50 মিমি থেকে 300 মিমি (2-12 ইঞ্চি)ব্যাস বর্ণালী। উন্নত ব্যবহার করেCzochralski (CZ) এবং ফ্লোট জোন (FZ)ক্রিস্টাল টানানোর পদ্ধতি, আমরা একটি আদিম, ত্রুটি-মুক্ত জালি নিশ্চিত করি যা এপিটাক্সিয়াল বৃদ্ধি এবং উচ্চ-ডোজ আয়ন ইমপ্লান্টেশনের জন্য একটি উচ্চ-অখণ্ডতা হোস্ট হিসাবে কাজ করে।

মূল পার্থক্যযুক্ত সুবিধা:

জালি-স্তরের একজাতীয়তা:হাইব্রিড-গ্রেড সামগ্রীর বিপরীতে, আমাদের ওয়েফারগুলিতে অতি-অভিন্ন অভ্যন্তরীণ বৈশিষ্ট্য-বিশেষভাবে নিয়ন্ত্রিত অন্তর্বর্তী অক্সিজেন এবং কার্বন সামগ্রী রয়েছে৷ এটি উদ্বায়ী উচ্চ- ভ্যাকুয়াম অ্যানিলিং এর সময় তাপীয় বৃষ্টিপাত প্রতিরোধ করে, এর জন্য পূর্বাভাসযোগ্য বৈদ্যুতিক প্রোফাইলগুলি নিশ্চিত করেপাওয়ার ICs (IGBT/MOSFET) এবং RF মডিউল.

থার্মোমেকানিকাল স্থিতিস্থাপকতা:অপ্টিমাইজ করা কাঠামোগত অখণ্ডতা নিশ্চিত করে যে প্রতিটি ওয়েফার চরম প্রক্রিয়াকরণ চক্রের সময় ধারাবাহিকভাবে আচরণ করে, উচ্চ-তাপমাত্রার প্রসারণ থেকে যান্ত্রিক ব্যাক গ্রাইন্ডিং পর্যন্ত-। এই স্থিতিশীলতা বজায় রাখার জন্য গুরুত্বপূর্ণসাব-মাইক্রোন মোট বেধ বৈচিত্র্য (টিটিভি)এবং স্বয়ংক্রিয় 300 মিমি ফাউন্ড্রি লাইনে ওয়েফার ভাঙা প্রতিরোধ করা।

ফলন-চালিত নির্ভুলতা:প্রতিটি সাবস্ট্রেটকে সাইট-নির্দিষ্ট ফ্ল্যাটনেস (SFQR) এর জন্য কঠোর শিল্প প্রত্যাশা পূরণ এবং অতিক্রম করার জন্য ইঞ্জিনিয়ার করা হয়েছে। এই নির্ভুলতা উন্নত ফটোলিথোগ্রাফিতে ফোকাস (DOF) এর একটি বর্ধিত গভীরতা-কে সমর্থন করে, সরাসরি প্রক্রিয়া প্রবাহে উল্লেখযোগ্য হ্রাস এবং চূড়ান্ত ডিভাইসের নির্ভরযোগ্যতার উন্নতির সাথে সম্পর্কযুক্ত।

গরম ট্যাগ: সিলিকন ওয়েফার গঠন, চীন সিলিকন ওয়েফার গঠন নির্মাতারা, সরবরাহকারী, কারখানা